中科院微電子所的FinFET專利，為何能讓英特爾忌憚三分

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作者：黃鶯企業(yè)專利觀察

原標(biāo)題：中科院微電子所的FinFET專利，為何能讓英特爾忌憚三分

2018年2月，中科院微電子所向行業(yè)大佬Intel打出了中國集成電路半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向海外巨頭專利維權(quán)的第一槍。指控Intel侵犯中科院微電子所的FinFET專利，要求賠償至少2億元，同時請求法院對“酷?！碑a(chǎn)品實施禁售。11月4日，在Intel對中科院微電子所的這件中國專利ZL201110240931.5發(fā)起的第二次無效請求中，國家知識產(chǎn)權(quán)局支持了Intel提交的新證據(jù)和理由，最終裁定該專利權(quán)利要求8、10、14無效。但這并不是終審結(jié)果，中科院微電子所還可以提起繼續(xù)上訴，來“奪回”這一關(guān)鍵專利。

中科院微電子所的FinFET專利，為何能讓英特爾忌憚三分

FinFET技術(shù)在半導(dǎo)體制程發(fā)展到22nm~5nm時發(fā)揮了重要的作用。這項技術(shù)最早是由加州大學(xué)伯克利分校的胡正明在1999年提出來的，他也因此被稱為“FinFET之父”。

另一位半導(dǎo)體界的風(fēng)云人物——梁孟松，在美國就讀期間，導(dǎo)師正是胡正明。

梁孟松后來輾轉(zhuǎn)于臺積電、三星和中芯國際。在他任職期間，臺積電與三星紛紛押注自主研發(fā)，通過“砸錢”慢慢地拉開了與各自“師傅”（Intel和IBM）的距離，形成了獨(dú)立的發(fā)展模式，也奠定了當(dāng)今集成電路制造產(chǎn)業(yè)的全球格局。

臺積電和三星都將發(fā)展FinFET作為過去十年競爭的利器。但實際上，行業(yè)內(nèi)最早實現(xiàn)FinFET商業(yè)化應(yīng)用的卻是Intel公司。2011年，Intel宣布FinFET量產(chǎn)計劃。第二年，在Intel推出的酷睿系列產(chǎn)品就采用了FinFET工藝。

Intel在半導(dǎo)體制造核心技術(shù)上已經(jīng)引領(lǐng)世界幾十年，研發(fā)投入也遠(yuǎn)超臺積電。在技術(shù)模仿鏈上，臺積電一直在追隨Intel，中芯國際則在追隨臺積電。

01、打向巨頭的第一槍

華為在通信領(lǐng)域用專利深耕了二十多年，才達(dá)到與國外巨頭平起平坐的水平。

在集成電路加工制造領(lǐng)域，中國大陸幾十年來一直處在追趕者的角色。

但誰也沒有想到，2018年2月，中科院微電子所向行業(yè)大佬Intel打出了中國集成電路半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向海外巨頭專利維權(quán)的第一槍。指控Intel侵犯中科院微電子所的FinFET專利，要求賠償至少2億元，同時請求法院對“酷睿”產(chǎn)品實施禁售。

中科院微電子所有何能力，能“將”行業(yè)大佬Intel一軍？

從全球能夠在FinFET上投入研（燒）發(fā)（錢）的玩家來看，數(shù)量并不多。除了加工制造的臺積電、三星、Intel、IBM、格羅方得、中芯國際之外，其它一些企業(yè)/機(jī)構(gòu)只有中科院微電子所、AMD、英飛凌、意法半導(dǎo)體、比利時IMEC等。

據(jù)美國專利咨詢公司LexInnova在2016年發(fā)布的全球FinFET專利調(diào)查報告顯示，中科院微電子所的FinFET專利數(shù)量排在第11位，也是中國大陸唯一進(jìn)入前20位的企業(yè)。但是其整體專利質(zhì)量卻位列全球第一，這一指標(biāo)超越了全球著名的半導(dǎo)體公司Intel、IBM、三星、臺積電等。

中科院微電子所的FinFET專利，為何能讓英特爾忌憚三分

來源：中科院微電子所網(wǎng)站

這個專利質(zhì)量的評比應(yīng)該是綜合的專利統(tǒng)計數(shù)據(jù)（例如專利引證率等指標(biāo)）和專家打分的方式。無論怎樣，這也是中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域，甚至是電子信息領(lǐng)域中，唯一一個由國外專業(yè)咨詢機(jī)構(gòu)評選出的，在專利質(zhì)量上能力壓國際巨頭，排名全球第一的機(jī)構(gòu)。這個頭銜，就連華為都不曾有過，在5G標(biāo)準(zhǔn)必要專利上，國外咨詢機(jī)構(gòu)承認(rèn)華為5G專利數(shù)量位列第一，但沒有一家機(jī)構(gòu)敢說華為的5G專利質(zhì)量能夠達(dá)到全球第一。這也從側(cè)面證實了，中科院微電子所在FinFET的研發(fā)上確實位居國際前沿。

頂著這個“全球第一”專利質(zhì)量的光環(huán)，Intel曾在中國和美國兩地試圖5次去無效掉中科院微電子所的這件FinFET專利，最終都以失敗告終。由此可見中科院微電子所用來訴訟專利的價值。

但是，這一戰(zhàn)似乎在11月4日迎來了轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

在Intel對中科院微電子所的這件中國專利ZL201110240931.5發(fā)起的第二次無效請求中，國家知識產(chǎn)權(quán)局支持了Intel提交的新證據(jù)和理由，最終裁定該專利權(quán)利要求8、10、14無效。而無效的理由則是因為中科院微電子所在先申請的一篇專利（CN102768957A）構(gòu)成了本申請的“抵觸申請”，使得該專利權(quán)利要求8、10、14不具備新穎性。

02、關(guān)鍵專利爭奪戰(zhàn)，才剛剛開始

這個“自己被自己打敗”的結(jié)果，確實有點(diǎn)意外。但這并不是終審結(jié)果，中科院微電子所還可以提起繼續(xù)上訴，來“奪回”這一關(guān)鍵專利?？梢哉f，Intel扳回的這一局，只是拉開了這場關(guān)鍵專利爭奪戰(zhàn)的序幕。

1、“抵觸申請”認(rèn)定或是爭議點(diǎn)

“抵觸申請”的存在是因為專利從申請到公開一般都要經(jīng)過很長的時間，例如發(fā)明要有18個月，所以在此期間申請的新專利，有可能因為在先申請的專利還未公開而無法判斷其新穎性。

因此如果要滿足“抵觸申請”的條件，是非常嚴(yán)格的，至少以下主體和時間的要件都要同時滿足：（1）在先專利或申請由任何單位或者個人在中國申請；（2）在先專利或申請的申請日早于在后申請的申請日；（3）在先專利或申請的公布或公告日在在后申請的申請日當(dāng)天或之后。

除此之外，還要滿足專利法第22條第2款有關(guān)新穎性的規(guī)定，即權(quán)利要求的技術(shù)特征已被對比文件全部公開，且本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)兩者的技術(shù)方案可以確定兩者能夠適用相同的技術(shù)領(lǐng)域，解決相同的技術(shù)問題，并具有相同的預(yù)期效果，則認(rèn)為兩者為同樣的發(fā)明。

在2008年專利法第三次修改之后，對“抵觸申請”的適用范圍作出了較大調(diào)整，將之前的只有“他人”申請的專利才能作為抵觸申請的要件修改為“任何單位或個人”，也就是將“自我抵觸”包含在內(nèi)，這與歐洲專利局的做法相同了。

中科院微電子所的此次無效也正是適用了“自我抵觸”的情形。

雖然中科院微電子所也承認(rèn)Intel的新證據(jù)材料滿足“抵觸申請”要件，但是對于兩件專利的新穎性判斷標(biāo)準(zhǔn)上還是存在爭議的。

中科院微電子所認(rèn)為爭議有三點(diǎn)：

（1）Intel引入的證據(jù)內(nèi)容來自該專利的兩個實施例：一個方法實施例，一個產(chǎn)品實施例，不能用兩個實施例來評價新穎性。

（2）本專利與證據(jù)相比，二者解決的技術(shù)問題不同，預(yù)期效果不同。

（3）權(quán)利要求8與證據(jù)相比存在區(qū)別技術(shù)特征：一是“……與鰭相交”沒有被證據(jù)所公開，權(quán)8中相交是指柵電極跨在鰭上形成立體交叉關(guān)系，而證據(jù)中的偽柵條208未跨在鰭上，未形成立體交叉關(guān)系；二是證據(jù)中的側(cè)墻與本專利中的電介質(zhì)墻形狀、位置、作用都不相同，除了形狀不同外，中科院微電子所認(rèn)為本專利電介質(zhì)墻的作用是用作柵極側(cè)墻，而證據(jù)中側(cè)墻作用是用作掩膜層。

雖然這三點(diǎn)內(nèi)容最終并未被復(fù)審的合議組所采納。但是這三點(diǎn)疑問，一定會繼續(xù)成為接下來的爭議焦點(diǎn)。

對于第一點(diǎn)，中科院微電子所提出的疑義從嚴(yán)格意義上看是有道理的。也就是對不同實施例的組合能否用來評價新穎性？爭議點(diǎn)在于本案這種具有“影子式”的方法和產(chǎn)品實施例，是否能認(rèn)定為不同實施例，這一點(diǎn)可能后續(xù)在法庭上會繼續(xù)有爭議，這不是技術(shù)問題，而是法律問題，類似的在先判例感覺在中、美兩國應(yīng)該都會有。

對于第二點(diǎn)，可能是中科院微電子所未來能否翻盤的關(guān)鍵。在新穎性判斷要件中，除了技術(shù)特征要完全相同外，對于解決的技術(shù)問題，預(yù)期效果也是非常重要的衡量指標(biāo)，如果不同，也不能認(rèn)為是“抵觸申請”。在合議組的決定中，有一句話值得關(guān)注“一個技術(shù)方案所解決的技術(shù)問題，不僅只限于提出該技術(shù)方案時聲稱要解決的技術(shù)問題，還包括該技術(shù)方案能夠解決的技術(shù)問題”。基于這樣一種判斷，合議組認(rèn)為“雖然證據(jù)文件沒有明確提出所解決的技術(shù)問題與本專利解決的技術(shù)問題相同，但是因為采用了同樣的……側(cè)墻結(jié)構(gòu)和……電隔離的工藝順序“，因此就認(rèn)為”同樣能夠解決本專利所遇到的問題，進(jìn)而達(dá)到同樣的技術(shù)效果”。因此爭議的焦點(diǎn)就變成，能否從在先的抵觸申請毫無意義的導(dǎo)出本專利所要解決的技術(shù)問題，這決定著本專利所聲稱要解決的技術(shù)問題及采取的方案是否是首次提出，這個分歧點(diǎn)還是有些主觀判斷在內(nèi)的，因此也會成為后期激辯的重點(diǎn)。法律可能要在復(fù)審員是否存在“事后諸葛亮”和申請人對技術(shù)差異的詳細(xì)陳述中，尋找平衡點(diǎn)。

這有點(diǎn)像輝瑞公司研發(fā)“萬艾可”藥物時，最開始專利要解決的技術(shù)問題是治療高血壓，而不是治療男性勃起障礙。但是現(xiàn)臨床效果出來后發(fā)現(xiàn)要解決的技術(shù)問題已經(jīng)完全改變了，但實際上發(fā)明的藥物化學(xué)結(jié)構(gòu)并沒有改變，因此就變成能否因為藥物化學(xué)結(jié)構(gòu)沒變就認(rèn)為“萬艾可”新用途的專利不具有新穎性的問題。雖然中科院微電子所的這個專利與“萬艾可”的例子在原理上有點(diǎn)類似，但還不完全一樣，因此后續(xù)走向如何，應(yīng)該會有很大爭議。

對于第三點(diǎn)，雖然中科院微電子所提出了兩點(diǎn)區(qū)別技術(shù)特征，看似從結(jié)構(gòu)、形狀、位置等多方面確實存在不同，但是最終判斷依據(jù)是按照權(quán)利要求文字所要求的內(nèi)容來判斷，上述申訴理由的區(qū)別特征實際上在權(quán)利要求文字中并未體現(xiàn)出來，也就是權(quán)利要求的上位概括并未體現(xiàn)出該區(qū)別，合議組不予認(rèn)定也是有道理的。但是這也不能歸咎于專利代理水平不高，實際上為了讓權(quán)利人獲得更好的創(chuàng)新保護(hù)，一定程度的上位概括還是需要的。從中科院微電子所將這條理由列在最后一點(diǎn)也可以看出，可能代理律師評估后也會認(rèn)為這一條被采納的可能性不如前面兩條。

2、不要過度消費(fèi)“自己打敗自己”

在中科院微電子所的關(guān)鍵專利的部分權(quán)利要求被自家在先專利所“抵觸”之后，一些不明真相的輿論有點(diǎn)將案件的重點(diǎn)“帶跑偏了”。

出現(xiàn)了一些想當(dāng)然的評論：“自家專利被自己打敗，不重視專利代理將承擔(dān)嚴(yán)重后果！”、“關(guān)鍵技術(shù)交由不同專利代理機(jī)構(gòu)，就要承擔(dān)風(fēng)險！”等等。

實際上，中科院微電子所在專利方面的工作已經(jīng)是國內(nèi)非常高的水平了。目前這起案件的“抵觸”結(jié)論也并非是終審結(jié)果，如果按照上述的分析來看，后續(xù)還有很大的回旋空間。

而且中科院微電子所目前依然擁有這件有效專利。Intel也很知趣的只是要求無效掉權(quán)利要求8、10、14，目的可能也只是為自己增加談判籌碼而已。

因為Intel很清楚這件專利在行業(yè)中的價值和地位。

從中科院微電子所自己對這件涉訴專利的評價來看，重要性不言而喻：

涉案專利涉及當(dāng)今最先進(jìn)的晶體管器件的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)和核心工藝。該專利是在“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項（02專項）的支持下，圍繞集成電路先進(jìn)制造技術(shù)進(jìn)行布局的若干專利組合中的核心專利之一，能夠有效提升芯片集成度并降低制造成本。

此外，還有人認(rèn)為這件專利在2011年就提出用側(cè)墻做柵極切斷，不僅時間早，而且在工藝上更易實施，尤其是受到光刻的限制后，所以這件專利的基礎(chǔ)性地位還是很高的，其它一些知名大廠的工藝可能也會涉及該專利的技術(shù)。

03、中科院微電子所讓Intel忌憚的“三個大殺器”

半導(dǎo)體制造，一直以來都是美國卡中國脖子的關(guān)鍵所在。

FinFET技術(shù)原理雖然是由華人提出，但是美國占據(jù)了創(chuàng)新和專利產(chǎn)出的絕對優(yōu)勢。中國大陸只有中芯國際和中科院微電子所能形成一定氣候。

與中芯國際偏向后端應(yīng)用不同，中科院微電子所的創(chuàng)新和專利更接近于對基礎(chǔ)原理的探究。因此，高端人才、先導(dǎo)技術(shù)和高質(zhì)量專利、以及非制造實體這三個殺手锏，就成為Intel不得不對其忌憚三分的理由。

1、臥虎藏龍：中科院不是“一個人”在戰(zhàn)斗

中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心的研發(fā)人員只有150人，與Intel龐大的研發(fā)人員和研發(fā)投入相比，顯得有點(diǎn)微不足道。但是這個隊伍不僅低調(diào)，而且“臥虎藏龍”。

以此次被Intel作為證據(jù)的專利CN10268957A為例。這件專利的三位發(fā)明人分別是朱慧瓏、鐘匯才、梁擎擎。三個人都有在國外知名半導(dǎo)體巨頭的工作經(jīng)歷，尤其是在IBM的工作經(jīng)驗。

朱慧瓏：中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心首席科學(xué)家。1990-2009年，先后在美國阿貢國家實驗室、伊利諾伊大學(xué)、DEC、Intel和IBM等任職，曾是IBM全公司2007年度4名牽頭發(fā)明家（Leading Inventor）之一；IBM發(fā)明大師（Master Inventor）；獲IBM優(yōu)秀專利獎兩次和IBM公司發(fā)明成就獎51次。2009年回國，擔(dān)任國家重大專項02專項“22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺建設(shè)”和“16-14納米基礎(chǔ)技術(shù)研究”項目首席專家，在國內(nèi)首次完成了原型器件的研發(fā)并建立了較系統(tǒng)的高質(zhì)量專利組合。獲得已授權(quán)美國專利190多件。

鐘匯才：畢業(yè)于美國北卡羅來納州立大學(xué)電子工程系。自2002 年畢業(yè)后在世界知名公司包括AMD、IBM、SanDisk 等公司從事CPU、Flash 等高性能芯片研究與產(chǎn)品開發(fā)工作，在美國申請并授權(quán)多項美國專利。自2009 年回國后，先后承擔(dān)了國家“973”計劃、國家科技重大專項02 專項、科技部重大儀器專項、中國科學(xué)院信息先導(dǎo)項目、國家重點(diǎn)研發(fā)計劃等重大課題研究任務(wù)，發(fā)表文章20 多篇，申請中國、美國與歐盟專利200 多項，其中以第一發(fā)明人身份申請并授權(quán)100項中國專利與國際專利。在這些重大的專利成果中，已確認(rèn)美國Intel 公司的28 納米以下的微電子芯片自2014 年對鐘匯才以第一發(fā)明人申請的美國專利US9070719、中國專利CN102956457B構(gòu)知識產(chǎn)權(quán)的的侵權(quán)，由中國科學(xué)院微電子所對Intel 公司發(fā)起進(jìn)行訴訟。

梁擎擎：畢業(yè)于美國佐治亞理工學(xué)院。后進(jìn)入IBM工作，曾獲得IBM杰出技術(shù)成就獎，IBM發(fā)明獎，并曾收錄于“美國名人錄”2008-2009雜志。

Intel在集成電路制造領(lǐng)域最大的技術(shù)競爭者是誰？就是IBM。

在美國專利咨詢公司LexInnova的FinFET專利數(shù)量排名中，IBM以1885件排名第一，是Intel（854件）的兩倍多。在一些影響FinFET性能的關(guān)鍵技術(shù)上，例如高k柵介質(zhì)/金屬柵的研究上，IBM的專利成果甚至要早于Intel七八年，這項技術(shù)同樣是也中科院微電子所的強(qiáng)項。

中科院微電子所的FinFET專利，為何能讓英特爾忌憚三分

來源：中科院微電子所網(wǎng)站

所以，中科院微電子所并不是"一個人"在戰(zhàn)斗，其背后的“隱藏”實力才是Intel所忌憚的。除了IBM，中科院微電子所專家們的背景還包括三星、AMD、聯(lián)華等國際知名半導(dǎo)體企業(yè)工作經(jīng)歷，可以說是實打?qū)嵉囊恢痪哂袊H先進(jìn)水平的高質(zhì)量科研團(tuán)隊。可以想象，除了這件訴訟專利外，中科院微電子所的專利武器庫中應(yīng)該還有很多儲備彈藥可以使用。怪不得Intel不敢小覷。

2、先導(dǎo)研發(fā)+高質(zhì)量專利

中科院微電子所不僅承擔(dān)了各類國家重大專項，同時也是中科院先導(dǎo)專項的重要承擔(dān)單位。正是國家在這些基礎(chǔ)性、前瞻性技術(shù)上的不斷投入，吸引人才，緊跟國際先進(jìn)水平，才使得微電子所的科研水平一直位居世界前列。

FinFET技術(shù)上，如何體現(xiàn)先導(dǎo)研發(fā)和基礎(chǔ)性？

從技術(shù)特點(diǎn)上看，F(xiàn)inFET與傳統(tǒng)平面FET的區(qū)別主要在“鰭”上，這也是胡正明的創(chuàng)新之處。因此對“鰭”的后續(xù)改進(jìn)，就成為各家爭奪的焦點(diǎn)。其它諸如柵堆棧、襯底、互聯(lián)、源漏的設(shè)置都要圍繞鰭的變化而進(jìn)行。

中科院微電子所的FinFET專利，為何能讓英特爾忌憚三分

中科院微電子所正是在“鰭”的創(chuàng)新上投入了大量的基礎(chǔ)性研究，有超過一多半的專利都是圍繞“鰭”在研發(fā)，這或許也是為何其專利質(zhì)量能排在全球第一的重要因素之一。

另一家在“鰭”上進(jìn)行廣泛布局的巨頭就是與中科院科研人員有背景關(guān)聯(lián)的IBM公司?？梢?，半導(dǎo)體行業(yè)中這種技術(shù)的傳承性特點(diǎn)還是很明顯的。

不僅技術(shù)緊跟國際最前沿，中科院微電子所在專利上的工作其實也是可圈可點(diǎn)的。

在其官方網(wǎng)頁的介紹中，有這么一段描述：

先導(dǎo)中心實現(xiàn)了22納米CMOS、高k柵介質(zhì)/金屬柵工程、16/14納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的FinFETs、5納米及以下納米線和堆疊納米片器件等關(guān)鍵技術(shù)的突破，研究水平邁入世界前列；提出了“專利指導(dǎo)下的研發(fā)戰(zhàn)略”，在關(guān)鍵工藝模塊上形成了較為系統(tǒng)的知識產(chǎn)權(quán)布局（專利2024項，含國際專利607項），部分關(guān)鍵專利被Intel、IBM、臺積電、三星等國內(nèi)外半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)廣泛引用和部分應(yīng)用。

也就是在和國外高手“較量”之前，微電子所就已經(jīng)意識到專利的重要性作用，將其全面貫穿到先導(dǎo)技術(shù)的研發(fā)中，而且這些產(chǎn)出的成果已經(jīng)被國際大廠所廣泛引用。

重視專利布局，就是另一個讓微電子所的FinFET專利質(zhì)量能夠達(dá)到全球第一的硬指標(biāo)了。

這也是Intel不得不忌憚的一點(diǎn)。

3、具有NPE的潛質(zhì)

中科院微電子所的發(fā)展定位決定了其只需要考慮前端研發(fā)，而不必考慮后端生產(chǎn)制造?？蒲谐晒霓D(zhuǎn)化，如果以專利許可的方式進(jìn)行，就十分符合“專利非實施實體”（Non-Practicing Entity, NPEs）的特點(diǎn)。

從過去十多年的NPEs發(fā)展歷史來看，往往是一些大公司“揮之不去”的噩夢。因為這些NPEs手中握有高質(zhì)量的專利，但又并不直接從事生產(chǎn)制造，因此被他們纏上的大公司往往無法“對等”應(yīng)對，多數(shù)情況不得不選擇“花錢免災(zāi)”。

蘋果、三星、華為這些巨頭，幾乎是所有NPEs都想咬上一口的“唐僧肉”。

因此，Intel在中科院微電子所面前，完全施展不開一家半導(dǎo)體巨頭的威風(fēng)，反而更像是一塊任人宰割的案板肉。

近年來，中科院微電子所也正在向著技術(shù)轉(zhuǎn)化和專利許可的目標(biāo)前進(jìn)，不僅以1100萬美元成功將1493件專利許可給武漢新芯，而且還成立了一家專注于知識產(chǎn)權(quán)運(yùn)營的服務(wù)公司。目的不言自明，就是要盤活中科院微電子所的這些高價值專利。

中科院微電子所的FinFET專利，為何能讓英特爾忌憚三分

此次選擇主動起訴Intel，更像是“萊克星頓的槍聲”，打響的是中科院微電子所希望在集成電路半導(dǎo)體行業(yè)徹底盤活專利，走向市場的決心。

04、寫在最后：Intel之后，下一個是誰？

11月9日，國家科技重大專項02專項專家組組長、中科院微電子所前所長葉甜春在中國半導(dǎo)體封測年會上發(fā)表演講《新形勢下我國集成電路發(fā)展的回顧與展望》，總結(jié)了重大專項在知識產(chǎn)權(quán)方面取得的進(jìn)展：自02專項實施以來，共申請專利30429件，其中發(fā)明專利25221件，實用新型1849件，國際專利3358件。

如果根據(jù)國外經(jīng)驗，如果在一個核心專利組合中，有5%-10%是核心專利，那就應(yīng)該是一個成功的專利包。從02專項取得的3萬件專利來看，如果其中有1500-3000件是核心專利，中國在卡脖子領(lǐng)域的情況都會大大好轉(zhuǎn)。但是實際情況來看，目前還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到這一數(shù)量。

此次中科院微電子所與Intel交戰(zhàn)的核心專利，正是來自國家科技重大專項02專項的支持?？梢哉f，今天的收獲，與十年前的播種是分不開的。

專利布局和搞基礎(chǔ)研究的道理一樣的，不能想著今天申請一個，明天就去起訴別人。要能耐下心來，仔細(xì)研究，知己知彼，才能獲得高質(zhì)量的專利產(chǎn)出。

Intel應(yīng)該是第一個“撞”到中科院微電子所槍口上的巨頭，但絕對不會是最后一個。

朱慧瓏研究團(tuán)隊已經(jīng)開始研究3nm以下代替FinFET的全環(huán)柵GAA技術(shù)了。這也是三星也非?？春玫募夹g(shù)。那，下一槍會不會對準(zhǔn)三星？完全有可能。

實際上，臺積電、AMD、格羅方德，甚至是蘋果，都有可能進(jìn)入到中科院微電子所的“專利射程”。

扳機(jī)何時扣動，就要看中科院科學(xué)家們的心情了。

來源：IPRdaily中文網(wǎng)（iprdaily.cn）

作者：黃鶯企業(yè)專利觀察

編輯：IPRdaily王穎校對：IPRdaily縱橫君

注：原文鏈接：中科院微電子所的FinFET專利，為何能讓英特爾忌憚三分（點(diǎn)擊標(biāo)題查看原文）

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中科院微電子所的FinFET專利，為何能讓英特爾忌憚三分

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中科院微電子所的FinFET專利，為何能讓英特爾忌憚三分

中科院微電子所的FinFET專利，為何能讓英特爾忌憚三分