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“技術(shù)領(lǐng)域的確定，應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的內(nèi)容為準(zhǔn)，一般根據(jù)專(zhuān)利的主題名稱(chēng)，結(jié)合技術(shù)方案所實(shí)現(xiàn)的技術(shù)功能、用途加以確定。相近的技術(shù)領(lǐng)域一般指與實(shí)用新型專(zhuān)利產(chǎn)品功能以及具體用途相近的領(lǐng)域，相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域一般指實(shí)用新型專(zhuān)利與最接近的現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別技術(shù)特征所應(yīng)用的功能領(lǐng)域?！?br/>
實(shí)用新型專(zhuān)利創(chuàng)造性判斷中對(duì)相近、相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的確定
——（2022）最高法知行終41號(hào)
裁判要旨
確定實(shí)用新型專(zhuān)利的技術(shù)領(lǐng)域時(shí)，應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的技術(shù)方案為對(duì)象，以主題名稱(chēng)為起點(diǎn)，綜合考慮專(zhuān)利技術(shù)方案的功能、用途。與專(zhuān)利技術(shù)方案的功能、用途相近的技術(shù)領(lǐng)域，構(gòu)成專(zhuān)利技術(shù)領(lǐng)域的相近技術(shù)領(lǐng)域；專(zhuān)利技術(shù)方案與最接近現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別技術(shù)特征所應(yīng)用的技術(shù)領(lǐng)域，構(gòu)成專(zhuān)利技術(shù)領(lǐng)域的相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域。
關(guān)鍵詞
行政 實(shí)用新型專(zhuān)利權(quán)無(wú)效 創(chuàng)造性 相近技術(shù)領(lǐng)域 相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域
基本案情
陳某建系專(zhuān)利號(hào)為201620169331.2、名稱(chēng)為“鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)”的實(shí)用新型專(zhuān)利的專(zhuān)利權(quán)人。2020年7月15日，深圳市恒某公司針對(duì)本專(zhuān)利權(quán)提出無(wú)效宣告請(qǐng)求，對(duì)此國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局于2021年1月4日作出第47707號(hào)無(wú)效宣告請(qǐng)求審查決定，宣告本專(zhuān)利權(quán)有效。深圳市恒某公司不服，向一審法院提起訴訟，請(qǐng)求撤銷(xiāo)被訴決定，判令國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局重新作出決定。
一審法院于2021年9月22日作出行政判決：駁回深圳市恒某公司的訴訟請(qǐng)求。深圳市恒某公司提出上訴，最高人民法院于2022年12月29日作出（2022）最高法知行終41號(hào)行政判決：一、撤銷(xiāo)一審法院行政判決；二、撤銷(xiāo)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局第47707號(hào)無(wú)效宣告請(qǐng)求審查決定；三、國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局就深圳市恒某公司針對(duì)專(zhuān)利號(hào)為201620169331.2、名稱(chēng)為“鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)”的實(shí)用新型專(zhuān)利提出的無(wú)效宣告請(qǐng)求重新作出審查決定。
裁判意見(jiàn)
法院生效裁判認(rèn)為，技術(shù)領(lǐng)域的確定，應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的內(nèi)容為準(zhǔn)，一般根據(jù)專(zhuān)利的主題名稱(chēng)，結(jié)合技術(shù)方案所實(shí)現(xiàn)的技術(shù)功能、用途加以確定。相近的技術(shù)領(lǐng)域一般指與實(shí)用新型專(zhuān)利產(chǎn)品功能以及具體用途相近的領(lǐng)域，相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域一般指實(shí)用新型專(zhuān)利與最接近的現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別技術(shù)特征所應(yīng)用的功能領(lǐng)域。
本專(zhuān)利權(quán)利要求1要求保護(hù)的是一種鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中單層金屬的鋁柵CMOS工藝設(shè)計(jì)的產(chǎn)品集成度低的問(wèn)題。為了解決上述問(wèn)題，本專(zhuān)利權(quán)利要求1采取的技術(shù)手段主要是：將現(xiàn)有的單層鋁柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)的壓焊點(diǎn)（輸入和輸出PAD、電源和地端PAD）作為第二層金屬結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一金屬層金屬結(jié)構(gòu)上，也就是設(shè)置到鋁柵CMOS結(jié)構(gòu)之上，提高鋁柵CMOS集成度。為了評(píng)價(jià)本專(zhuān)利權(quán)利要求1版圖結(jié)構(gòu)的創(chuàng)造性，一審判決及被訴決定基于硅柵和鋁柵的柵極材料不同，均認(rèn)為硅柵CMOS集成電路和鋁柵CMOS集成電路屬于不同的技術(shù)領(lǐng)域，進(jìn)而認(rèn)定二者的技術(shù)方案實(shí)質(zhì)上并不相同，本專(zhuān)利權(quán)利要求1具備創(chuàng)造性。本專(zhuān)利權(quán)利要求1與證據(jù)1、2、3、5、6、7的區(qū)別技術(shù)特征在于，證據(jù)1、2、3、5、6、7公開(kāi)的均是硅柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)，并沒(méi)有公開(kāi)任何涉及“鋁柵”的內(nèi)容。在半導(dǎo)體工業(yè)的早期，金屬鋁一般被用作CMOS的柵極材料，此后硅被廣泛運(yùn)用于柵極材料。盡管柵極材料從鋁到硅的發(fā)展確實(shí)是半導(dǎo)體器件的改進(jìn)，但鋁柵與硅柵的區(qū)別對(duì)于本專(zhuān)利所采取的雙層金屬布線版圖結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案沒(méi)有實(shí)質(zhì)性影響，柵極材料的選擇不應(yīng)作為本專(zhuān)利的技術(shù)貢獻(xiàn)。因此，本專(zhuān)利與硅柵CMOS雙層金屬布線結(jié)構(gòu)功能相同、用途相近，提高CMOS集成度的原理基本相同，可以將硅柵CMOS雙層金屬布線結(jié)構(gòu)視為本專(zhuān)利的相同或相近技術(shù)領(lǐng)域。被訴決定和一審判決在評(píng)價(jià)本專(zhuān)利的創(chuàng)造性時(shí)，未考慮硅柵CMOS雙層金屬布線結(jié)構(gòu)，屬于適用法律錯(cuò)誤。
關(guān)聯(lián)索引
《中華人民共和國(guó)專(zhuān)利法》第22條第3款（本案適用的是2009年10月1日施行的《中華人民共和國(guó)專(zhuān)利法》第22條第3款）
附：判決書(shū)
中華人民共和國(guó)最高人民法院行政判決書(shū)
（2022）最高法知行終41號(hào)
上訴人（一審原告、無(wú)效宣告請(qǐng)求人）：深圳市某電子有限公司。
法定代表人：瞿某，該公司總經(jīng)理。
委托訴訟代理人：王啟勝，廣東鵬杰律師事務(wù)所律師。
被上訴人（一審被告）：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局。
法定代表人：申長(zhǎng)雨，該局局長(zhǎng)。
委托訴訟代理人：羅崇舉，該局審查員。
委托訴訟代理人：袁麗穎，該局審查員。
一審第三人（專(zhuān)利權(quán)人）：陳某某，男，1975年10月24日出生，漢族，住河北省新樂(lè)市。
上訴人深圳市某電子有限公司與被上訴人國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局及一審第三人陳某某實(shí)用新型專(zhuān)利權(quán)無(wú)效行政糾紛一案，涉及專(zhuān)利權(quán)人為陳某某、名稱(chēng)為“鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)”的實(shí)用新型專(zhuān)利（以下簡(jiǎn)稱(chēng)本專(zhuān)利）。針對(duì)深圳市某電子有限公司就本專(zhuān)利提出的無(wú)效宣告請(qǐng)求，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局作出第47707號(hào)無(wú)效宣告請(qǐng)求審查決定（以下簡(jiǎn)稱(chēng)被訴決定），宣告本專(zhuān)利權(quán)有效；深圳市某電子有限公司不服，向北京知識(shí)產(chǎn)權(quán)法院提起訴訟。北京知識(shí)產(chǎn)權(quán)法院于2021年9月22日作出（2021）京73行初7955號(hào)行政判決，判決駁回深圳市某電子有限公司的訴訟請(qǐng)求；深圳市某電子有限公司不服，向本院提起上訴。本院于2022年1月18日立案后，依法組成合議庭，并于2022年4月22日詢(xún)問(wèn)當(dāng)事人，上訴人深圳市某電子有限公司的委托訴訟代理人王啟勝，被上訴人國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的委托訴訟代理人羅崇舉、袁麗穎，一審第三人陳某某到庭參加詢(xún)問(wèn)。本案現(xiàn)已審理終結(jié)。
本案基本事實(shí)如下：本專(zhuān)利系名稱(chēng)為“鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)”的實(shí)用新型專(zhuān)利，專(zhuān)利權(quán)人為陳某某，專(zhuān)利號(hào)為201620169331.2，專(zhuān)利申請(qǐng)日為2016年3月7日，授權(quán)公告日為2016年11月30日。作為本案審查基礎(chǔ)的權(quán)利要求為：
“1.鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述版圖結(jié)構(gòu)包括：第一金屬層、層疊在第一金屬層上的第二金屬層以及設(shè)置在第一金屬層和第二金屬層之間的絕緣介質(zhì)隔離層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬層設(shè)置為CMOS電路連接層，所述第二金屬層設(shè)置為壓焊點(diǎn)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬層設(shè)置為CMOS電路連接層，所述第二金屬層設(shè)置為壓焊點(diǎn)和MOS電路進(jìn)行連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述壓焊點(diǎn)為輸入和輸出PAD、電源和地端PAD。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)隔離層的材質(zhì)為氮化硅和二氧化硅復(fù)合介質(zhì)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)隔離層是所述第一金屬層與第二金屬層之間的絕緣介質(zhì)層，所述第一金屬層與第二金屬層通過(guò)光刻刻蝕絕緣介質(zhì)隔離層制作的通孔進(jìn)行電路連接?！?br/>
2020年7月15日，深圳市某電子有限公司請(qǐng)求國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局宣告本專(zhuān)利權(quán)利要求全部無(wú)效。主要理由包括：本專(zhuān)利權(quán)利要求1不具備《中華人民共和國(guó)專(zhuān)利法》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)專(zhuān)利法）第二十二條第二款規(guī)定的新穎性，權(quán)利要求1-6不具備專(zhuān)利法第二十二條第三款規(guī)定的創(chuàng)造性。
深圳市某電子有限公司提交了如下證據(jù)：
證據(jù)1：中國(guó)專(zhuān)利文獻(xiàn)CN103390647A，公開(kāi)日為2013年11月13日。證據(jù)1公開(kāi)了一種功率CMOS器件結(jié)構(gòu)，具體公開(kāi)了以下內(nèi)容（參見(jiàn)說(shuō)明書(shū)第0022-0034段，附圖1-4）：包括多個(gè)LDMOS基板單元和多個(gè)焊接墊，所述多個(gè)LDMOS基板單元并聯(lián)，并與所述多個(gè)焊接墊通過(guò)金屬電連接，以引出所述多個(gè)LDMOS基板單元的柵端、源端、漏端及襯底，所述多個(gè)焊接墊正下方設(shè)有LDMOS基本單元；所述多個(gè)焊接墊與所述多個(gè)LDMOS基本單元之間設(shè)有第一金屬層，所述多個(gè)LDMOS基本單元、所述第一金屬層與所述多個(gè)焊接墊之間通過(guò)金屬栓電連接；所述多個(gè)焊接墊包括厚度為3.5-4.5微米、線寬為1.5-2.5微米的單層金屬，所述多個(gè)焊接墊還包括位于單層金屬之下的阻擋層及位于單層金屬之上的抗反射層。
證據(jù)2：雙層金屬布線硅柵CMOS門(mén)陣列電路制造工藝技術(shù)研究，鄭養(yǎng)鉥，張敏，凌棟忠，吳璘，顧惠芬，鄭慶云，邱斌，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，第14卷，第1期，第36-42頁(yè)，公開(kāi)日為1993年1月31日。證據(jù)2公開(kāi)了一種雙層金屬布線硅柵CMOS門(mén)陣列電路，具體公開(kāi)了以下內(nèi)容（參見(jiàn)第36-37、39頁(yè)，附圖1）：提高集成電路的集成密度的主要途徑包括采用多層金屬布線，普通的單層布線，互連線所占的面積占芯片總面積的70%，而采用雙層金屬布線時(shí)，互連線只占芯片總面積的50%，即集成密度提高了一倍，且在雙層金屬布線工藝中，采用濺射方式形成第一層布線金屬材料，采用濺射方式形成第二布線金屬材料，在兩層金屬布線間形成絕緣層；采用連通孔作為二層金屬布線間的連接通道，連通的標(biāo)志是二層金屬布線金屬接觸的導(dǎo)通電阻盡可能小。
證據(jù)3：中國(guó)專(zhuān)利文獻(xiàn)CN103003940A的部分文本，公開(kāi)日為2013年3月27日。證據(jù)3（參見(jiàn)說(shuō)明書(shū)第0635-0642段，附圖70）公開(kāi)了一種具有半導(dǎo)體裝置和結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)，公開(kāi)的是硅柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)，并具體公開(kāi)了：以HKMG“后柵極”的方式采用先進(jìn)的加工體硅施主晶圓7000；薄薄的單晶施主晶圓表面7018可用于借助氧化層7020的低溫氧化或沉淀進(jìn)行層切；進(jìn)行低溫層切，以便將變薄的、在第一步驟的晶體管成形預(yù)加工的HKMG硅層7001轉(zhuǎn)移到受主晶圓808上，包括金屬插接條7024，成為在切出層上形成的電路與下方電路-層808之間連接線的接合焊盤(pán)；對(duì)層間電介質(zhì)7008進(jìn)行化學(xué)-機(jī)械打磨，以便露出多晶硅虛擬柵極的頂層；將多晶硅虛擬柵極移除，高-k柵極電介質(zhì)7026和PMOS特定功函數(shù)金屬柵極7028可發(fā)生沉積；PMOS功函數(shù)金屬柵極可從NMOS晶體管上移除，NMOS特定功函數(shù)金屬柵極7030可發(fā)生沉積；在NMOS和PMOS柵極上填充鋁7032，并對(duì)金屬進(jìn)行化學(xué)-機(jī)械打磨操作；電介質(zhì)層7032可能會(huì)發(fā)生淀積。
證據(jù)4：中國(guó)專(zhuān)利文獻(xiàn)CN102832712A，公開(kāi)日為2012年12月19日。
證據(jù)5：中國(guó)專(zhuān)利文獻(xiàn)CN1229523A，公開(kāi)日為1999年9月22日。（該證據(jù)與請(qǐng)求書(shū)所附證據(jù)1相同，以下統(tǒng)稱(chēng)證據(jù)5）證據(jù)5公開(kāi)了一種具有多層布線的半導(dǎo)體器件的制造方法，具體公開(kāi)了以下內(nèi)容（參見(jiàn)說(shuō)明書(shū)第4頁(yè)第8-18行，附圖1）：第一絕緣層3形成在硅晶片的半導(dǎo)體本體2的表面1上，露出形成在半導(dǎo)體本體2內(nèi)的半導(dǎo)體區(qū)的接觸窗口提供在所述絕緣層3內(nèi)，顯示為導(dǎo)電條7和8的第一布線層6形成在第一絕緣層3上，導(dǎo)電條7連接到半導(dǎo)體區(qū)5，第二絕緣層9形成在第一布線層6上，提供有接觸窗口；顯示為導(dǎo)電條12的第二布線層11形成在第二絕緣層9上；導(dǎo)電條12連接到導(dǎo)電條7；其上提供有第三布線層14的第三絕緣層13形成在第二布線層11上；第三布線層14通過(guò)接觸窗口16連接到第一布線層6的導(dǎo)電條8。
證據(jù)6：中國(guó)專(zhuān)利文獻(xiàn)CN101110402A，公開(kāi)日為2008年1月23日。證據(jù)6公開(kāi)了一種半導(dǎo)體芯片，具體公開(kāi)了以下內(nèi)容（參見(jiàn)說(shuō)明書(shū)第5頁(yè)第2段）：在實(shí)施例中，如果半導(dǎo)體器件是CMOS圖像器件的一部分，則半導(dǎo)體器件可以包括光電二極管和/或MOS晶體管；在至少一個(gè)半導(dǎo)體器件上方可以形成多晶硅——金屬電介質(zhì)PMD層間介電層；可以依次堆疊至少一層金屬布線層和至少一層層間介電層。證據(jù)6還公開(kāi)了（參見(jiàn)說(shuō)明書(shū)第1頁(yè)第1段）：半導(dǎo)體襯底上可以形成多個(gè)半導(dǎo)體電路器件，例如MOS晶體管，并且可以形成多個(gè)金屬布線層以提供對(duì)于這些電路器件的電連接；可以形成多個(gè)層間介電層，以將單元電路器件與金屬布線層相互隔離；各單元電路器件與金屬布線層可以通過(guò)穿通層間介電層的多個(gè)接觸塞而相互電連接。
證據(jù)7：芯片制造——半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程（第六版），PeterVanZant著，韓鄭生譯，電子工業(yè)出版社，2015年1月第3版（原著第6版），第242-243頁(yè)。公開(kāi)日為2015年1月31日。證據(jù)7公開(kāi)了一種多層金屬設(shè)計(jì)，具體公開(kāi)了以下內(nèi)容（參見(jiàn)第242-243頁(yè)）：增加芯片密度能夠在晶圓表面放置更多的元件，這實(shí)際上就減少了表面連線的可用空間；這個(gè)兩難的問(wèn)題的解決方法就是利用有2至4層獨(dú)立金屬層的多層金屬結(jié)構(gòu)；圖13.3顯示了一個(gè)典型的兩層金屬堆疊結(jié)構(gòu)；這種堆疊結(jié)構(gòu)的底部是在硅表面形成的硅化物阻擋層，這有利于降低硅表面和上層之間的阻抗；如果鋁作為導(dǎo)電材料的話(huà)，阻擋層也能夠阻止鋁和硅形成合金；接下來(lái)是一層介質(zhì)材料層，可稱(chēng)之為金屬間介質(zhì)層，它在兩個(gè)金屬層之間提供電絕緣作用；這種介質(zhì)材料可能是淀積的氧化物、氮化硅或聚酰亞胺膜；這一層需要進(jìn)行光刻以形成新的連接孔，這些連接孔稱(chēng)為通孔或塞；緊接著，這一層的金屬層被淀積并進(jìn)行圖形化工藝；在以后的工藝中，重復(fù)IMD/塞/金屬淀積或圖形化工藝，就形成了多層金屬系統(tǒng)。
證據(jù)8：中國(guó)專(zhuān)利文獻(xiàn)CN105633009A，公開(kāi)日為2016年6月1日。
證據(jù)9：中國(guó)專(zhuān)利文獻(xiàn)CN101174310A，公開(kāi)日為2008年5月7日。
證據(jù)10：中國(guó)專(zhuān)利文獻(xiàn)CN1915797A，公開(kāi)日為2007年2月21日。
2021年1月4日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局作出被訴決定認(rèn)為：本專(zhuān)利具備專(zhuān)利法第二十二條第二款、第三款規(guī)定的新穎性、創(chuàng)造性。國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局據(jù)此決定：維持本專(zhuān)利有效。
深圳市某電子有限公司不服，于2021年5月12日向一審法院提起訴訟，請(qǐng)求：撤銷(xiāo)被訴決定，責(zé)令國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局重新作出決定。事實(shí)和理由為：（一）國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局關(guān)于鋁柵CMOS集成電路和硅柵CMOS集成電路不屬于同一技術(shù)領(lǐng)域的認(rèn)定錯(cuò)誤。二者國(guó)際分類(lèi)號(hào)相同。本專(zhuān)利的同日申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利駁回決定（專(zhuān)利號(hào)201610125636.8），國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局在該發(fā)明申請(qǐng)駁回決定中引用的對(duì)比文件1-3都是硅柵CMOS集成電路，足以證明鋁柵CMOS集成電路和硅柵CMOS集成電路屬于同一技術(shù)領(lǐng)域。本專(zhuān)利的實(shí)用新型專(zhuān)利權(quán)評(píng)價(jià)報(bào)告顯示本專(zhuān)利權(quán)利要求1無(wú)新穎性，權(quán)利要求2-6無(wú)創(chuàng)造性，且國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局引用的對(duì)比文件1也是硅柵CMOS集成電路。被訴決定違反了《專(zhuān)利審查指南》的規(guī)定。（二）若鋁柵CMOS集成電路和硅柵CMOS集成電路屬于同一技術(shù)領(lǐng)域不被認(rèn)可，那鋁柵CMOS集成電路和硅柵CMOS集成電路至少構(gòu)成相近或者相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，由于現(xiàn)有技術(shù)給出了明確的啟示，本專(zhuān)利缺乏新穎性和創(chuàng)造性。（三）被訴決定合議組人員違反回避規(guī)定，程序違法。
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局辯稱(chēng)：被訴決定認(rèn)定事實(shí)清楚，適用法律正確，審理程序合法，審查結(jié)論正確，請(qǐng)求駁回深圳市某電子有限公司的訴訟請(qǐng)求。
陳某某述稱(chēng)：國(guó)際分類(lèi)號(hào)并不能用來(lái)證明技術(shù)方向和技術(shù)領(lǐng)域是否相同，與本案不存在任何關(guān)系。硅柵CMOS集成電路和鋁柵CMOS集成電路屬于不同的技術(shù)領(lǐng)域，制造工藝不同，結(jié)構(gòu)也不相同，不能進(jìn)行替換。其他意見(jiàn)與國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局一致。
一審訴訟過(guò)程中，深圳市某電子有限公司提交了其他專(zhuān)利材料，以及與本專(zhuān)利同日申請(qǐng)的發(fā)明專(zhuān)利駁回決定、本專(zhuān)利的專(zhuān)利權(quán)評(píng)價(jià)報(bào)告等證據(jù)，以證明鋁柵CMOS集成電路和硅柵CMOS集成電路屬于同一技術(shù)領(lǐng)域。
一審訴訟過(guò)程中，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交了以下證據(jù)：
證據(jù)12：國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)碩士學(xué)位論文“鋁柵工藝特征尺寸小型化的研究與應(yīng)用”，劉偉，2006年3月1日，封面、表目錄頁(yè)、圖目錄頁(yè)、摘要頁(yè)、獨(dú)創(chuàng)性聲明頁(yè)，正文第1-2、4-8、32-33、65頁(yè)。
證據(jù)13：東南大學(xué)碩士學(xué)位論文“1.0微米先進(jìn)鋁柵工藝開(kāi)發(fā)”，趙少峰，2007年5月15日，封面、獨(dú)創(chuàng)性聲明頁(yè)，正文第47、49頁(yè)。
證據(jù)14:東南大學(xué)學(xué)位論文“0.8微米低壓鋁柵關(guān)鍵工藝技術(shù)研究與設(shè)計(jì)規(guī)則優(yōu)化”，解洋，2015年l0月13日，封面頁(yè)、獨(dú)創(chuàng)性聲明頁(yè)、摘要頁(yè)，正文第1、4、32、41、61-62頁(yè)。
一審法院經(jīng)審理認(rèn)定了上述事實(shí)。另查明：庭審過(guò)程中，深圳市某電子有限公司明確表示：對(duì)于被訴決定之“一、案由”“二、決定的理由”之“1、審查基礎(chǔ)”“2、證據(jù)認(rèn)定”部分不持異議，對(duì)證據(jù)內(nèi)容的認(rèn)定不持異議；如果權(quán)利要求1具備創(chuàng)造性，則權(quán)利要求2-6也具備創(chuàng)造性；放棄關(guān)于程序違法的訴訟主張。
一審法院認(rèn)為：（一）關(guān)于本專(zhuān)利權(quán)利要求1。權(quán)利要求1要求保護(hù)的主題是一種鋁柵CMOS的雙層金屬布線結(jié)構(gòu)。在半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，雖然在技術(shù)發(fā)展的過(guò)程中，先出現(xiàn)的是鋁柵集成電路，硅柵集成電路是在鋁柵集成電路的基礎(chǔ)上改進(jìn)發(fā)展而來(lái)，但由于硅柵和鋁柵的特性（例如熔點(diǎn)等）的不同，硅柵集成電路和鋁柵集成電路采用不同的版圖結(jié)構(gòu)和工藝制程，二者在各自不同的領(lǐng)域向前發(fā)展，其制造工藝、設(shè)計(jì)規(guī)則、特征尺寸等均不相同，且二者各有優(yōu)劣，主要應(yīng)用的領(lǐng)域不相同，發(fā)展的速度也不同。即，硅柵CMOS集成電路和鋁柵CMOS集成電路屬于不同的技術(shù)領(lǐng)域，二者的設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)等不能直接通用或替換。證據(jù)3中公開(kāi)的是硅柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)，其屬于硅柵CMOS集成電路領(lǐng)域，其中并沒(méi)有公開(kāi)任何涉及“鋁柵”的技術(shù)內(nèi)容。故權(quán)利要求1相對(duì)于證據(jù)3具備新穎性。證據(jù)1、2、3、5、6、7公開(kāi)的均是硅柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)，均屬于硅柵CMOS集成電路領(lǐng)域，其中均沒(méi)有公開(kāi)任何涉及“鋁柵”的技術(shù)內(nèi)容。前述證據(jù)均沒(méi)有公開(kāi)權(quán)利要求1中限定的由第一、第二金屬層及設(shè)置于其間的絕緣介質(zhì)隔離層構(gòu)成的鋁柵CMOS的雙層金屬布線結(jié)構(gòu)，上述技術(shù)特征構(gòu)成權(quán)利要求1相對(duì)于上述證據(jù)的區(qū)別特征。然而，沒(méi)有證據(jù)顯示上述區(qū)別特征屬于本領(lǐng)域的公知常識(shí)。而且，該區(qū)別特征使得權(quán)利要求1的技術(shù)方案具有提高鋁柵CMOS集成電路的集成度的技術(shù)效果。因此，權(quán)利要求1相對(duì)于證據(jù)1和公知常識(shí)的結(jié)合，或者證據(jù)2和公知常識(shí)的結(jié)合，或者證據(jù)3和公知常識(shí)的結(jié)合，或者證據(jù)5和公知常識(shí)的結(jié)合，或者證據(jù)6和公知常識(shí)的結(jié)合，或者證據(jù)7和公知常識(shí)的結(jié)合具有實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和進(jìn)步，因而具備創(chuàng)造性。
（二）關(guān)于本專(zhuān)利權(quán)利要求2-6。權(quán)利要求2-6是權(quán)利要求1的從屬權(quán)利要求，深圳市某電子有限公司關(guān)于權(quán)利要求2-6不具備創(chuàng)造性的理由是基于權(quán)利要求1不具備創(chuàng)造性；此外，深圳市某電子有限公司在評(píng)述權(quán)利要求2-6的附加技術(shù)特征時(shí)還引入了證據(jù)8、證據(jù)9和證據(jù)10。但是，證據(jù)8的公開(kāi)日晚于本專(zhuān)利的申請(qǐng)日，不構(gòu)成本專(zhuān)利的現(xiàn)有技術(shù)，不可以用于評(píng)價(jià)本專(zhuān)利的創(chuàng)造性。證據(jù)9和證據(jù)10未用于評(píng)述權(quán)利要求1的創(chuàng)造性。因此，在關(guān)于獨(dú)立權(quán)利要求1不具備創(chuàng)造性的理由均不成立的情況下，關(guān)于從屬權(quán)利要求2-6不具備創(chuàng)造性的理由也都不成立。
一審法院依據(jù)《中華人民共和國(guó)行政訴訟法》第六十九條之規(guī)定，判決：駁回深圳市某電子有限公司的訴訟請(qǐng)求。案件受理費(fèi)100元，由深圳市某電子有限公司負(fù)擔(dān)（已交納）。
深圳市某電子有限公司不服一審判決，向本院提起上訴，請(qǐng)求：1.撤銷(xiāo)一審判決；2.撤銷(xiāo)被訴決定，并判令國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局重新作出無(wú)效審查決定；3.判令國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局承擔(dān)一、二審訴訟費(fèi)。事實(shí)和理由為：（一）一審法院關(guān)于本專(zhuān)利屬于鋁柵CMOS集成電路技術(shù)領(lǐng)域的認(rèn)定錯(cuò)誤。本專(zhuān)利公開(kāi)的是鋁柵CMOS集成電路，一審法院將技術(shù)領(lǐng)域認(rèn)定為涉案專(zhuān)利本身，違反了《專(zhuān)利審查指南》的規(guī)定。（二）一審法院關(guān)于本專(zhuān)利與深圳市某電子有限公司在無(wú)效宣告程序中提交的對(duì)比文件屬于不同技術(shù)領(lǐng)域的認(rèn)定錯(cuò)誤。本專(zhuān)利記載的技術(shù)效果并不是因?yàn)檫x擇鋁作為柵極材料產(chǎn)生的，選擇鋁或硅作為柵極材料對(duì)本專(zhuān)利的技術(shù)效果沒(méi)有任何影響。（三）從國(guó)際分類(lèi)號(hào)的角度看，證據(jù)1-6與本專(zhuān)利的國(guó)際分類(lèi)號(hào)相同，足以證明硅柵CMOS集成電路與鋁柵CMOS集成電路都屬于CMOS集成電路技術(shù)領(lǐng)域。（四）若鋁柵CMOS集成電路和硅柵CMOS集成電路屬于同一技術(shù)領(lǐng)域不被認(rèn)可，那么二者至少構(gòu)成相近或者相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域。
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局辯稱(chēng)：堅(jiān)持被訴決定意見(jiàn)，一審判決認(rèn)定事實(shí)清楚，適用法律正確，審理程序合法，請(qǐng)求駁回深圳市某電子有限公司的上訴請(qǐng)求。
陳某某述稱(chēng)：（一）本專(zhuān)利是在傳統(tǒng)鋁柵CMOS基礎(chǔ)上發(fā)明創(chuàng)造而來(lái)，雙層金屬布線版圖結(jié)構(gòu)直接應(yīng)用在鋁柵CMOS集成電路上，一審法院和國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局關(guān)于本專(zhuān)利屬于鋁柵CMOS集成電路技術(shù)領(lǐng)域的認(rèn)定正確。（二）鋁柵CMOS集成電路屬于獨(dú)立的技術(shù)領(lǐng)域，深圳市某電子有限公司提供的對(duì)比文件都不是鋁柵CMOS，一審法院關(guān)于本專(zhuān)利與對(duì)比文件屬于不同技術(shù)領(lǐng)域的認(rèn)定正確。（三）國(guó)際分類(lèi)號(hào)不能用來(lái)證明技術(shù)方向和技術(shù)領(lǐng)域是否相同，與本案不存在任何關(guān)系。（四）鋁柵CMOS和硅柵CMOS的版圖結(jié)構(gòu)、工藝制程、特征尺寸、設(shè)計(jì)規(guī)則、應(yīng)用領(lǐng)域、熔點(diǎn)等完全不同，不能進(jìn)行替換，兩者不是相近或者相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，并沒(méi)有給出明確現(xiàn)有技術(shù)啟示。請(qǐng)求駁回深圳市某電子有限公司的上訴請(qǐng)求。
本案二審期間，當(dāng)事人均未提交新證據(jù)，并均對(duì)一審判決關(guān)于涉案證據(jù)真實(shí)性、合法性和關(guān)聯(lián)性的認(rèn)定不持異議。
本院經(jīng)審理查明：一審法院認(rèn)定的事實(shí)基本屬實(shí)，本院予以確認(rèn)。
本院認(rèn)為：本專(zhuān)利申請(qǐng)日在2008年修正的專(zhuān)利法施行日（2009年10月1日）之后、2020年修正的專(zhuān)利法施行日（2021年6月1日）之前，本案應(yīng)適用2008年修正的專(zhuān)利法。本案二審爭(zhēng)議焦點(diǎn)問(wèn)題是：鋁柵CMOS集成電路和硅柵CMOS集成電路是否屬于相同或相近的技術(shù)領(lǐng)域。
《專(zhuān)利審查指南》第二部分第二章2.2.2規(guī)定：發(fā)明或者實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng)域應(yīng)當(dāng)是要求保護(hù)的發(fā)明或者實(shí)用新型技術(shù)方案所屬或者直接應(yīng)用的具體技術(shù)領(lǐng)域，而不是上位的或者相鄰的技術(shù)領(lǐng)域，也不是發(fā)明或者實(shí)用新型本身。技術(shù)領(lǐng)域的確定，應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的內(nèi)容為準(zhǔn)，一般根據(jù)專(zhuān)利的主題名稱(chēng)，結(jié)合技術(shù)方案所實(shí)現(xiàn)的技術(shù)功能、用途加以確定。相近的技術(shù)領(lǐng)域一般指與實(shí)用新型專(zhuān)利產(chǎn)品功能以及具體用途相近的領(lǐng)域，相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域一般指實(shí)用新型專(zhuān)利與最接近的現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別技術(shù)特征所應(yīng)用的功能領(lǐng)域。
本專(zhuān)利權(quán)利要求1要求保護(hù)的是一種鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中單層金屬的鋁柵CMOS工藝設(shè)計(jì)的產(chǎn)品集成度低的問(wèn)題。為了解決上述問(wèn)題，本專(zhuān)利權(quán)利要求1采取的技術(shù)手段主要是：將現(xiàn)有的單層鋁柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)的壓焊點(diǎn)（輸入和輸出PAD、電源和地端PAD）作為第二層金屬結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一金屬層金屬結(jié)構(gòu)上，也就是設(shè)置到鋁柵CMOS結(jié)構(gòu)之上，提高鋁柵CMOS集成度。為了評(píng)價(jià)本專(zhuān)利權(quán)利要求1版圖結(jié)構(gòu)的創(chuàng)造性，一審判決及被訴決定基于硅柵和鋁柵的柵極材料不同，均認(rèn)為硅柵CMOS集成電路和鋁柵CMOS集成電路屬于不同的技術(shù)領(lǐng)域，進(jìn)而認(rèn)定二者的技術(shù)方案實(shí)質(zhì)上并不相同，本專(zhuān)利權(quán)利要求1具備創(chuàng)造性。
本專(zhuān)利權(quán)利要求1與證據(jù)1、2、3、5、6、7的區(qū)別技術(shù)特征在于，證據(jù)1、2、3、5、6、7公開(kāi)的均是硅柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)，并沒(méi)有公開(kāi)任何涉及“鋁柵”的內(nèi)容。在半導(dǎo)體工業(yè)的早期，金屬鋁一般被用作CMOS的柵極材料，此后硅被廣泛運(yùn)用于柵極材料。盡管柵極材料從鋁到硅的發(fā)展確實(shí)是半導(dǎo)體器件的改進(jìn)，但鋁柵與硅柵的區(qū)別對(duì)于本專(zhuān)利所采取的雙層金屬布線版圖結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案沒(méi)有實(shí)質(zhì)性影響，柵極材料的選擇不應(yīng)作為本專(zhuān)利的技術(shù)貢獻(xiàn)。因此，本專(zhuān)利與硅柵CMOS雙層金屬布線結(jié)構(gòu)功能相同、用途相近，提高CMOS集成度的原理基本相同，可以將硅柵CMOS雙層金屬布線結(jié)構(gòu)視為本專(zhuān)利的相同或相近技術(shù)領(lǐng)域。被訴決定和一審判決在評(píng)價(jià)本專(zhuān)利的創(chuàng)造性時(shí)，未考慮硅柵CMOS雙層金屬布線結(jié)構(gòu)，屬于適用法律錯(cuò)誤。
綜上所述，深圳市某電子有限公司的上訴請(qǐng)求成立，應(yīng)予支持。被訴決定和一審判決適用法律錯(cuò)誤，應(yīng)予糾正。根據(jù)《中華人民共和國(guó)行政訴訟法》第七十條、第八十九條第一款第二項(xiàng)、第三款之規(guī)定，判決如下：
一、撤銷(xiāo)北京知識(shí)產(chǎn)權(quán)法院（2021）京73行初7955號(hào)行政判決；
二、撤銷(xiāo)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局第47707號(hào)無(wú)效宣告請(qǐng)求審查決定；
三、國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局就深圳市某電子有限公司針對(duì)專(zhuān)利號(hào)為201620169331.2、名稱(chēng)為“鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)”的實(shí)用新型專(zhuān)利提出的無(wú)效宣告請(qǐng)求重新作出審查決定。
一審案件受理費(fèi)100元，由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局負(fù)擔(dān)。二審案件受理費(fèi)100元，由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局負(fù)擔(dān)。
本判決為終審判決。
審 判 長(zhǎng) 魏磊
審 判 員 周平
審 判 員 李艷
二〇二二年十二月二十九日
法官助理 靳毅
技術(shù)調(diào)查官 于行洲
書(shū)記員 王怡
（原標(biāo)題：實(shí)用新型專(zhuān)利創(chuàng)造性判斷中對(duì)相近、相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的確定）
來(lái)源：最高人民法院知識(shí)產(chǎn)權(quán)法庭
編輯：IPRdaily辛夷 校對(duì)：IPRdaily縱橫君
注：原文鏈接：實(shí)用新型專(zhuān)利創(chuàng)造性判斷中對(duì)相近、相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的確定（點(diǎn)擊標(biāo)題查看原文）
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